一、硅壓阻式壓力變送器過程密封

壓力變送器設(shè)計(jì)保證即使傳感器膜片損壞或故障時(shí)，變送器仍能安全地工作。電子線路側(cè)（室）有兩級(jí)密封與過程隔離，第三級(jí)密封實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)場(chǎng)接線端子和導(dǎo)線管入口相隔離。過程密封的設(shè)計(jì)及其位置使變送器殼體耐壓，并防止過程雜質(zhì)由接線端子側(cè)通過導(dǎo)線管進(jìn)入。
1、雙室結(jié)構(gòu)外殼
DFL2088壓力變送器繼承了TSK51系列的設(shè)計(jì)傳統(tǒng)，為雙室外殼設(shè)計(jì)。雙室外殼令電子線路與外部環(huán)境相隔離，可防止由于環(huán)境潮濕或?qū)Ь€管冷凝損壞變送器。一般不要求導(dǎo)線管密封。另外，即使在傳感器膜頭*損壞時(shí)，雙室結(jié)構(gòu)也可以保證接線端子及導(dǎo)線管與過程相隔離。
2、傳感器膜片
隔離膜片將壓力傳給硅壓阻式壓力傳感器，傳感器內(nèi)充有硅油。對(duì)于表壓變送器，傳感器的參考?jí)毫榇髿鈮?；?duì)于絕壓變送器，傳感器的參考?jí)毫κ且粋€(gè)密封的真空參考源。
過程壓力加在傳感器的傳感膜片上，令膜片產(chǎn)生一個(gè)微小變形，這會(huì)給予傳感器內(nèi)的惠斯登電橋施加一個(gè)應(yīng)力，使惠斯登電橋產(chǎn)生應(yīng)變電阻變化，電阻變化被測(cè)量,并轉(zhuǎn)換為一個(gè)4~20mA直流電流變化被輸出。
3、硅壓阻式壓力變送器電子線路板模塊
電子線路采用ASIC（集成電路）和表面封裝技術(shù)。電子板接收傳感器膜頭的經(jīng)溫度補(bǔ)償?shù)碾娮枳兓盘?hào)后，對(duì)信號(hào)進(jìn)行修正和線性化，輸出一個(gè)直流電流信號(hào)。

二、性能規(guī)格
（零基準(zhǔn)校驗(yàn)范圍，參考條件，硅油充液，316L不銹鋼隔離膜片）
2.1. 參考精度  ±0.2%或0.5%校驗(yàn)量程,包括線性,遲滯性和重復(fù)性影響
2.2. 環(huán)境溫度影響（-40至85℃）  總體影響：±(0.3%URL+0.3%校驗(yàn)量程）/56℃

三、功能指標(biāo)
3.1. 應(yīng)用場(chǎng)合  液體、氣體測(cè)量
3.2. 量程  -0.1至40MPa
3.3. 過壓極限  2倍FS(＜3.5MPa)   2.5倍FS(≥3.5MPa)   3.4. 過程溫度極限   硅油傳感器：-40至120℃
3.5. 環(huán)境溫度極限  不帶液晶表頭:-40至85℃  帶液晶表頭:-20至60℃
3.6. 貯存溫度極限  不帶液晶表頭:-46至110℃  帶液晶表頭:-40至70℃
3.7. 濕度極限  0-相對(duì)濕度

四、安裝

主要技術(shù)參數(shù)：
1、量程：0-200Pa至0-100MPa；-0.1MPa--+0.1MPa
2、精度：±0.25%F.S;±0.5%F.S
3、溫區(qū)：0-60℃
4、電源：24VDC；
5、輸出：4-20Ma/0-10mA；
6、過載：量程×1.5倍；
7、防爆級(jí)別：EXiaⅡCT5；
8、指示表頭：3 1/2位液晶顯示,數(shù)碼管表頭（用戶訂貨時(shí)須另指明）。 
 

主要技術(shù)指標(biāo): 
 

五、物理規(guī)格
5.1. 電氣接口  1/2-14NPT
5.2. 過程接口  1/2-14NPT,M20×1.5(CM20)陽螺紋可選
5.3. 過程接液件  隔離膜片: 316L不銹鋼  過程接頭: 316不銹鋼
5.4. 非接液件
5.4.1. 電子外殼  低銅合金鋁,符合NEMA4X。
5.4.2 .噴涂  聚氨酯
5.4.3.表蓋O型環(huán)
5.4.4. 標(biāo)牌

壓力變送器將按用戶要求免費(fèi)打標(biāo)牌。北京市(京) 天津市(津) 上海市(滬) 重慶市(渝) 河北省(冀) 河南省(豫) 云南省(云) 遼寧省(遼) 黑龍江省(黑) 湖南省(湘) 安徽省(皖) 山東省(魯) 新疆維吾爾(新) 江蘇省(蘇) 浙江省(浙) 江西省(贛) 湖北省(鄂) 廣西壯族(桂) 甘肅省(甘) 山西省(晉) 內(nèi)蒙古(蒙) 陜西省(陜) 吉林省(吉) 福建省(閩) 貴州省(貴) 廣東省(粵) 青海省(青) 西藏(藏) 四川省(川) 寧夏回族(寧) 海南省(瓊)